Объем: 0.25; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование; Скорость последовательного чтения: 560; Скорость последовательной записи: 530; Средняя скорость случайного чтения: 98 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 88 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 5.5; Энергопотребление (ожидание): 0.06; Время наработки на отказ (МТBF): 500000; Толщина: 6.8; Контроллер: Samsung MKX; Ресурс записи: 150 TBW; Буфер обмена: 512
Компания производитель: Samsung
Объем: 1.92 Тб; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Адаптер 3.5" в комплекте: нет
Компания производитель: Lenovo
Форм-фактор: 3.5"; Тип: HDD; Емкость: 6000; Скорость вращения: 7200; Объем буфера: 256; Интерфейс SATA: SATA 6Gb/s; Потребляемая мощность: 5.3; Потребляемая мощность в спящем режиме: 3.4; Высота: 26.1
Компания производитель: Seagate
Объем: 1; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Скорость последовательного чтения: 540; Скорость последовательной записи: 500; Время наработки на отказ (МТBF): 1500000; Толщина: 7; Контроллер: Silicon Motion SM2258XT; Дата выхода на рынок: 2018; Ресурс записи: 360 TBW
Компания производитель: Crucial
Форм-фактор: 3.5"; Тип: HDD; Емкость: 14000; Скорость вращения: 7200; Объем буфера: 512; Интерфейс SATA: SATA 6Gb/s; Время наработки на отказ: 2500000; Ударостойкость при хранении: 250; Ударостойкость при работе: 50; Уровень шума работы: 36; Потребляемая мощность: 6.4; Потребляемая мощность в спящем режиме: 3.6; Уровень шума простоя: 20; Высота: 26.1
Компания производитель: Western Digital
Объем: 0.96; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Средняя скорость случайного чтения: 55 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 80 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 2.1; Энергопотребление (ожидание): 0.03; Время наработки на отказ (МТBF): 2000000; Толщина: 7; Контроллер: Phison S11; Ресурс записи: 500 TBW
Компания производитель: MSI
Объем: 2; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0); Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование; Скорость последовательного чтения: 7450; Скорость последовательной записи: 6900; Средняя скорость случайного чтения: 1 400 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 1 550 000 IOps; Энергопотребление (чтение/запись): 5.5; Энергопотребление (ожидание): 0.06; Время наработки на отказ (МТBF): 1500000; Толщина: 2.3; Размеры М.2: 2280; Ресурс записи: 1200 TBW; Буфер обмена: 2048
Компания производитель: Samsung
Объем: 0.96; Форм-фактор: 2.5"; Интерфейс: SATA 3.0; Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Аппаратное шифрование; Средняя скорость случайного чтения: 95 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 33 000 IOps; Время наработки на отказ (МТBF): 3000000; Толщина: 7
Компания производитель: Lenovo
Интерфейс SAS: SAS 3.0; Вес: 222 г; Длина: 100.45 мм; Высота: 15 мм; Ширина: 70.1 мм
Компания производитель: Seagate
Объем: 0.5; Форм-фактор: M.2; Интерфейс: PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4); Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND; Скорость последовательного чтения: 5000; Скорость последовательной записи: 4000; Средняя скорость случайного чтения: 460 000 IOps; Средняя скорость случайной записи: 800 000 IOps; Толщина: 2.38; Контроллер: Western Digital; Размеры М.2: 2280; Ресурс записи: 300 TBW
Компания производитель: Western Digital
Ищете какой смартфон купить с хорошими камерами? Мы сделали подборку моделей с акцентом на качество камер, цену и ликвидность на рынке в 2025 году. В обзоре указаны важные характеристики, плюсы и минусы основанные на обзорах и отзывах.
